栅极调控 WSe2 单层驻留载流子的自旋-谷锁定
介观与纳米尺度物理
2017-10-04 v1 材料科学
摘要
使用时间分辨克尔旋转，我们测量了典型过渡金属硫族化物（TMD）半导体 WSe2 的单层电荷可调器件中驻留电子与空穴的自旋/谷动力学。在 n 型区，我们观察到电子的长达 70 ns 的极化弛豫，该弛豫对平面内磁场 敏感，表明自旋弛豫。与之形成鲜明对比，在 p 型区揭示了空穴的极长（2 微秒）极化弛豫，其不受 影响，直接证实了长期以来关于单层 TMD 价带中空穴强自旋-谷锁定的预期。在连续波克尔光谱与 Hanle 测量的支持下，这些研究提供了单层 TMD 中载流子极化动力学的统一图像，可指导未来谷电子器件的设计原则。
引用
@article{arxiv.1704.05448,
title = {Gate controlled spin-valley locking of resident carriers in WSe2 monolayers},
author = {P. Dey and Luyi Yang and C. Robert and G. Wang and B. Urbaszek and X. Marie and S. A. Crooker},
journal= {arXiv preprint arXiv:1704.05448},
year = {2017}
}
备注
5 pages, 3 figures