二维异质结构中的定向层间自旋-谷转移
介观与纳米尺度物理
2017-01-04 v1
摘要
由两种不同单层半导体形成的范德瓦耳斯异质结构已成为新型光电子和自旋/谷电子学应用的有前景平台。除了其原子级薄的性质外，二维半导体异质结构由于其组成单层的独特耦合自旋-谷物理而不同于其三维对应物。在此，我们报告了直接观察：在一个单层中层光学产生的自旋-谷极化可以在二维 MoSe2-WSe2 异质结构的层之间转移。利用非简并光学圆二色性光谱，我们表明两层之间的电荷转移守恒自旋-谷极化，并且仅微弱依赖于层之间的扭转角。我们的工作指向纳米级器件中的新自旋-谷泵浦方案，提供了对跨二维界面的自旋-谷转移的基本理解，并展示了二维半导体作为 2D 自旋/谷电子学器件中用于信息存储和处理的自旋-谷发生器的潜在用途。
引用
@article{arxiv.1612.04863,
title = {Directional Interlayer Spin-Valley Transfer in Two-Dimensional Heterostructures},
author = {John R. Schaibley and Pasqual Rivera and Hongyi Yu and Kyle L. Seyler and Jiaqiang Yan and David G. Mandrus and Takashi Taniguchi and Kenji Watanabe and Wang Yao and Xiaodong Xu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1612.04863},
year = {2017}
}