基于位置可控纳米间隙系统的超低功耗纳米机电存储器
介观与纳米尺度物理
2017-09-13 v1
摘要
低维纳米材料的纳米间隙工程在从分子电子学到存储器等多种领域引起了相当大的兴趣。在特定位置创建纳米间隙对于器件的可重复制造至关重要。在这项工作中，我们报道了一种基于亚5纳米间隙单壁碳纳米管（SWNTs）通过机电运动实现的非易失性存储器的合理设计。该纳米间隙是通过在具有纳米尺度区域的局部悬浮SWNTs器件中电烧断轻易实现的。SWNT存储器器件适用于金属性和半导体性SWNTs，解决了从金属性SWNTs中分离半导体性SWNTs的挑战。同时，存储器器件表现出优异的性能：超低写入能量（4.1*10-19 J每比特）、105的开关比、稳定的导通切换操作以及在环境条件下超过30小时的保持时间，这具有巨大的应用潜力。
引用
@article{arxiv.1709.03646,
title = {Ultra-low Power Nanoelectromechanical Memory Based on Location-controllable Nanogap System},
author = {Jian Zhang and Ya Deng and Xiao Hu and Jean Pierre Nshimiyimana and Siyu Liu and Xiannian Chi and Pei Wu and Fengliang Dong and Peipei Chen and Weiguo Chu and Haiqing Zhou and Lianfeng Sun},
journal= {arXiv preprint arXiv:1709.03646},
year = {2017}
}