分子非易失性单电子电阻开关的设计与模拟
介观与纳米尺度物理
2015-06-11 v1 计算物理
摘要
我们对基于两个线性、平行、静电耦合分子系统的单电子电阻开关进行了初步设计和模拟：一个实现单电子晶体管，另一个作为单电子陷阱。为了验证我们的设计，我们结合分子的电子结构 ab-initio 计算和离散能谱系统中单电子隧穿的一般理论，对该“忆阻”器件进行了理论分析。我们的结果表明，这种长度低于 10 nm、 footprint area 约为 5 nm 的分子组装体，在室温下可能结合亚秒级的开关时间和多年的保持时间，以及高 () 的开/关电流比。此外，基于此类分子组装体的自组装单分子膜 (SAM) 的 Monte Carlo 模拟表明，此类单分子膜也可用作电阻开关，具有相当的特性，并且此外，对缺陷和杂散偏移电荷具有高度耐受性。
引用
@article{arxiv.1210.5253,
title = {Design and Simulation of Molecular Nonvolatile Single-Electron Resistive Switches},
author = {Nikita Simonian and Andreas Mayr and Konstantin K. Likharev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1210.5253},
year = {2015}
}
备注
17 pages, 22 figures