具有 4 个隧结的单电子陷阱的存储能力研究
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v1
摘要
我们报告了单电子陷阱的运行情况。该陷阱由一串连接的四个 Al/AlOx/金属-氧化铝/铝隧结组成，分别连接到一块记忆岛和一块用于抑制共隧穿的微型芯片内 Cr 电阻（电阻值为 50 kΩ）。在合适的电压偏置下，实现了陷阱的双稳态状态，其电荷数相差一个基本电荷 e。实验在低温下进行，发现这些状态之间的自发切换较为不频繁。例如，在 T=70 mK 时，该系统能够维持电子存留超过 2 小时，而该时间受测量时间限制。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9904021,
title = {Storage capabilities of a 4-junction single electron trap with an on-chip resistor},
author = {S. V. Lotkhov and H. Zangerle and A. B. Zorin and J. Niemeyer},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9904021},
year = {2009}
}
备注
3 pages of text and 2 figures