双结电子陷阱中的长保持时间
介观与纳米尺度物理
2015-05-30 v1 超导电性
摘要
研究表明，由于环境辅助隧穿事件受到抑制，单电子陷阱的保持时间τ显著增加。使用两个射频紧密辐射屏蔽罩代替单个屏蔽罩，我们证明，对于一个仅有两个超导体(S)-正常金属(N)隧道结和一个片上电阻R（R-SNS结构）的陷阱，τ增加了超过10^3倍，达到约10小时。在正常态下，改进的屏蔽使得观测到τ∼100秒成为可能，这与双电子共隧穿过程预期的量子泄漏限制水平合理一致。
引用
@article{arxiv.1108.1684,
title = {Long hold times in a two-junction electron trap},
author = {A. Kemppinen and S. V. Lotkhov and O. -P. Saira and A. B. Zorin and J. P. Pekola and A. J. Manninen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1108.1684},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 3 figures