片上集成 RC 环境中的双结超导体-正常金属单电子陷阱
介观与纳米尺度物理
2015-05-28 v1
摘要
研究表明，电磁环境的耗散特性以及片上 RC 滤波能够抑制双结超导体(S)-正常金属(N)电子陷阱中的随机状态切换。在我们的实验中，局部高欧姆电阻将陷阱的保持时间提高了最多两个数量级。对于不同的片上几何结构，观察到了显著的片上噪声滤波效果。所获得的结果为实现基于 S-N 混合单电子旋转门的电流标准带来了希望。
引用
@article{arxiv.1106.6005,
title = {Two-junction superconductor-normal metal single-electron trap in a combined on-chip RC environment},
author = {Sergey V. Lotkhov and Alexander B. Zorin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1106.6005},
year = {2015}
}
备注
4 pages 3 figures LT26