耗散环境中混合单电子晶体管的泵浦特性
超导电性
2010-03-12 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
研究了嵌入高欧姆环境中的混合正常金属/超导体单电子晶体管的泵浦特性。两个 3 微米长的 CrOx 微带电阻器(总电阻 R=80kOhm)被放置在该混合器件旁边。在低 MHz 范围内观察到泵浦性能的显著改善和亚带隙泄漏的减少。在 0.1-1GHz 的较高频率下，与参考裸器件相比，由于增强的阻尼和电子加热导致的隧穿减慢对泵浦产生了负面影响。
引用
@article{arxiv.0905.3402,
title = {Pumping properties of the hybrid single-electron transistor in dissipative environment},
author = {S. V. Lotkhov and A. Kemppinen and S. Kafanov and J. P. Pekola and A. B. Zorin},
journal= {arXiv preprint arXiv:0905.3402},
year = {2010}
}
备注
3 pages 4 figures