在氦表面上静电陷阱中捕获电子
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v1
摘要
我们观察到了在液态氦-4表面上方形成的静电陷阱中对电子的捕获。这些电子由位于陷阱中心的单电子晶体管检测。我们可以捕获1到之间的任意所需数量的电子。通过反复（次）将单个电子放入陷阱并降低陷阱的静电势垒，我们可以测量电子的有效温度以及其在被非相干辐射加热后的热化时间。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0611756,
title = {Trapping electrons in electrostatic traps over the surface of helium},
author = {E. Rousseau and Y. Mukharsky and D. Ponarine and O. Avenel and E. Varoquaux},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0611756},
year = {2009}
}
备注
Presented at QFS06 - Kyoto, to be published in J. Low Temp. Phys., 6 pages, 3 figures