6x6 钒-铝超导隧道结阵列中的强准粒子俘获
超导电性
2009-11-07 v1
摘要
我们制备了一个 6x6 对称 V/Al/AlOx/Al/V 超导隧道结（STJs）阵列。基底电极是高质量外延膜，剩余电阻比（RRR）约为 30。顶层膜为多晶膜，RRR 约为 10。25x25 mm^2 结的漏电流在 100 mV 偏置电压下约为 0.5 pA/mm^2 量级，对应于约 3 10^5 欧姆的动态电阻。当该阵列被来自 55Fe 放射源的 6 keV X 射线光子照射时，发现单光子电荷输出较低，且强烈依赖于器件温度。X 射线能量下的这种温度依赖性可以通过钒中存在大量准粒子（QP）陷阱来解释。QP 被限制在这些陷阱中，其能隙低于周围材料，因此无法用于隧穿。陷阱的数量可以从器件响应度（每电子伏特光子输入能量的电荷输出）的能量依赖性中推导出来。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0110374,
title = {Strong Quasiparticle Trapping In A 6x6 Array Of Vanadium-Aluminum Superconducting Tunnel Junctions},
author = {G. Brammertz and A. Peacock and P. Verhoeve and A. Kozorezov and R. den Hartog and N. Rando and R. Venn},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0110374},
year = {2009}
}
备注
4 pages. presented at Low Temperature Detectors-9