低温下约瑟夫森结阵列的电阻

我们研究了零温度下约瑟夫森结阵列中涡旋的运动，此时运动由量子隧穿从一个胞元到另一个胞元控制。隧穿过程具有有限时间特征，并且可能比超导能隙慢（因此 $\tau \Delta >> 1$）。伴随此过程的耗散源于稀有过程，即当涡旋在隧穿通过单个结时激发一个准粒子越过能隙。我们发现即使在 $\tau \Delta >> 1$ 的情况下，耗散也是显著的，特别是它在该参数下不是指数小的。我们利用计算得到的单涡旋跳跃的能量耗散来估计整个阵列的物理电阻。