一维约瑟夫森结联中量子核化相滑移引起的固有电阻率
超导电性
2007-05-23 v1
摘要
通过估计量子相滑移的核化速率，计算了一维约瑟夫森结联阵列在零温下的电阻率。我们选取描述核化过程的集体坐标，并估算其对应的有效质量。在Josephson耦合能超过充电能的强耦合 regime下，我们采用WKB方法计算核化速率。我们的估计与最近的实验数据良好一致。还讨论了超导体-绝缘体相变点。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9903349,
title = {Intrinsic Resistivity via Quantum Nucleation of Phase Slips in a One-Dimensional Josephson Junction Array},
author = {T. Inoue and M. Nishida and S. Kurihara},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9903349},
year = {2007}
}
备注
12 pages, 2 figures, REVTeX