线性约瑟夫森结阵列电容耦合到金属薄膜中的耗散驱动超导体-绝缘体转变

我们研究了电容耦合到邻近二维扩散金属的线性约瑟夫森结阵列的低温性质。利用玻色化技术，我们推导了该阵列的有效模型，并通过重整化群分析和变分方法获得了其在T=0时的临界性质和相。虽然金属存在所给出的静态屏蔽效应可被吸收到阵列参数的重整化中，但由动态屏蔽库仑相互作用产生的背散射会导致绝缘基态的非平凡稳定化，并可能驱动超导体-绝缘体转变。我们研究了该转变对低温输运性质的影响。特别地，我们计算了电阻率随温度和阵列参数的变化，并获得了可在实验中观察到的超导体-绝缘体转变的清晰特征。