单分子磁体的忆阻特性

弱耦合于两个铁磁引线的单分子磁体在电子电路中充当存储器件——其响应取决于历史，而不仅仅取决于瞬时施加的电压。我们表明，磁各向异性在系统中引入了快慢弛豫过程之间广泛的时间尺度分离，这在广泛的中间时间机制中导致了显著的记忆依赖性。我们在主方程方法框架下，研究了从慢驱动到快驱动的谐波变化偏置电压的响应。该系统并非纯粹的忆阻性，但在短时间尺度上表现出部分电容响应。在中间时间机制中，分子自旋可用作双端分子存储器件的状态变量。