单层过渡金属二硫族化物中电压可控的巨磁晶各向异性
材料科学
2017-08-02 v1
摘要
为了开发基于电场控制自旋取向的新型存储器件，迫切需要具有大磁晶各向异性和强电场效应的材料。我们提出，无需使用改性的过渡金属薄膜，某些单层过渡金属二硫族化物是实现这一目的的理想候选材料。利用密度泛函计算，我们表明它们不仅具有大的磁晶各向异性 (MCA)，而且在外部电场下表现出巨电压调制。值得注意的是，在诸如 CrSe_2 和 FeSe_2 等一些材料中，自旋原本表现出强烈的面内取向偏好，但可以被翻转至面外方向。这种效应归因于在电场作用下，过渡金属 d 态在费米能级附近经历的能带特性的巨大改变。我们进一步证明，应变也能极大地改变 MCA，并且与电场结合时有助于提高调制效率。
引用
@article{arxiv.1706.03521,
title = {Voltage-Controllable Colossal Magnetocrystalline Anisotropy in Single Layer Transition Metal Dichalcogenides},
author = {Xuelei Sui and Tao Hu and Jianfeng Wang and Bing-Lin Gu and Wenhui Duan and Mao-sheng Miao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.03521},
year = {2017}
}