磁晶各向异性控制的 (Ga,Mn)As 自旋转移力矩微器件中的局部磁构型
介观与纳米尺度物理
2007-07-24 v1 材料科学
摘要
传统高密度矩铁磁体中的大饱和磁化强度提供了通过退磁形状各向异性场操纵有序态的灵活手段，但这些偶极场反过来限制了信息存储器件中磁性元件的集成度。我们表明，在具有相对较弱磁偶极相互作用的 (Ga,Mn)As 稀矩铁磁体中，局部可调的磁晶各向异性可以充当决定磁构型的内场。我们展示了针对光刻图案化微通道的实验和理论建模，并将该现象归因于跨越通道的晶格弛豫。我们在电流诱导开关实验中证明了局部控制磁各向异性的实用性。我们报告了在远低于居里温度下，临界电流密度为 10^5 Acm^-2 时发生的结构敏感型电流诱导面内磁化开关。观察到的现象显示出畴壁自旋转移力矩效应贡献的特征。
引用
@article{arxiv.0707.3329,
title = {Magnetocrystalline anisotropy controlled local magnetic configurations in (Ga,Mn)As spin-transfer-torque microdevices},
author = {J. Wunderlich and A. C. Irvine and J. Zemen and V. Holy and A. W. Rushforth and E. De Ranieri and U. Rana and K. Vyborny and Jairo Sinova and C. T. Foxon and R. P. Campion and D. A. Williams and B. L. Gallagher and T. Jungwirth},
journal= {arXiv preprint arXiv:0707.3329},
year = {2007}
}
备注
9 pages, 9 figures, Phys. Rev. B in press