（Ga,Mn)As 中的各向异性光刻工程
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v1
摘要
铁磁半导体研究的重点正从材料问题转向基于这些材料各向异性特性所涉及的新现象的器件功能。为实现局部控制各向异性，以满足器件设计需求，亟需一种方法。我们在此报告了一种方法，能够实现局部诱导的各向异性，而且在所有温度下都能主导材料固有各向异性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0612439,
title = {Lithographic engineering of anisotropies in (Ga,Mn)As},
author = {S. Hümpfner and M. Sawicki and K. Pappert and J. Wenisch and K. Brunner and C. Gould and G. Schmidt and T. Dietl and L. W. Molenkamp},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0612439},
year = {2009}
}