合成反铁磁体中开关过程的不稳定性
材料科学
2009-11-11 v1
摘要
研究表明，合成反铁磁体中的磁态和场驱动重取向转变关键依赖于高阶各向异性的贡献。我们推导了一个唯象的宏自旋模型来描述两个反铁磁耦合磁性薄膜元件的磁态。计算得到的相图表明，具有面外磁化强度的磁态，即对称逃逸自旋翻转相，在广泛的施加磁场范围内存在。由于此类态的形成以及伴随的多畴图案，磁随机存取存储器（MRAM）器件中的开关过程可能从根本上偏离过度简化模型内的预测。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0607124,
title = {Instabilities of switching processes in synthetic antiferromagnets},
author = {A. N. Bogdanov and U. K. Roessler},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0607124},
year = {2009}
}
备注
3 pages, 3 figures