反铁磁畴的磁电反转动力学
应用物理
2019-03-27 v3
摘要
当电场与磁场共同作用于磁电反铁磁体时，畴态会发生反转。尽管初始与最终条件均为饱和单畴态，反转过程可能分解为局域多畴切换事件。在 Cr2O3 薄膜中，实验所得磁电矫顽力与开关速度远低于由磁各向异性预期的值，类似于铁磁材料中的 Brown 悖论。多畴效应源于反铁磁畴壁被晶格缺陷亚稳钉扎，而非由于可忽略的磁静能降低。本文以形核、畴壁传播和相干转动的形式理论分析了薄膜磁电反铁磁体中的畴反转。反转机制的时间尺度被建模为所施加磁电压强的函数。该理论参考最新的薄膜 Cr2O3 磁电开关实验工作进行了评估：发现畴壁传播占主导并负责实验中的开关。结果对利用反铁磁绝缘体的 ME 存储器件的能量-延迟性能具有启示意义，该类器件在非易失技术中具前景。
引用
@article{arxiv.1812.11579,
title = {Dynamics of Magnetoelectric Reversal of Antiferromagnetic Domain},
author = {Arun Parthasarathy and Shaloo Rakheja},
journal= {arXiv preprint arXiv:1812.11579},
year = {2019}
}
备注
8 pages