纳米机械性能对单电子隧穿的影响：振动的单电子晶体管
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v1
摘要
我们描述了在纳米机械激发作用下通过分子结构的单电子隧穿。我们构建了一个包含充电效应和耗散的完整量子力学模型，并将其应用于 Park 等人 {[Nature {\bf 407}, 57 (2000)]} 中振动的 C 单电子晶体管实验。我们发现结果与实验数据良好一致，并指出振动对分子电子系统至关重要。我们提出一种实现负电导导的机制，通过局部玻色子激发实现。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0012140,
title = {Influence of nano-mechanical properties on single electron tunneling: A vibrating Single-Electron Transistor},
author = {Daniel Boese and Herbert Schoeller},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0012140},
year = {2009}
}
备注
7 pages, 6 figures