纳米晶闪存存储器在编程和擦除操作中的充放电过程的数值模拟

本工作旨在通过时间依赖的数值模拟，理解硅纳米晶闪存存储器在编程和擦除操作中的充放电过程。编程和擦除操作的时间依赖仿真基于纳米晶存储器动力学的主方程描述。相关转移速率由一维泊松-施罗方程求解器计算，允许计算隧穿电流以及介质层中外部储备与局域态之间的生成和复合速率。与文献中可获得的实验结果比较后，提供了有关存储机制的有用见解。特别是，仿真允许我们排除电子存储在硅纳米晶导带中受限态中的可能性，而表明电子实际上被trap在硅隧穿层与周围氧化硅之间界面处的硅带隙中靠近价带边缘的局域态中。