利用石墨烯纳米带边缘接触最小化相变存储器的编程功耗
介观与纳米尺度物理
2022-07-25 v1 材料科学
应用物理
摘要
非易失性相变随机存取存储器（PCRAM）被视为大数据时代新兴海量存储的有前途候选之一。然而，相对较高的编程能耗阻碍了PCRAM功耗的进一步降低。利用石墨烯的窄边缘接触可有效减小每个单元中相变材料的活性体积，从而实现低功耗操作。在此，我们展示在以约3 nm宽石墨烯纳米带（GNR）作边缘接触、截面积仅约1 nm2的单元中，写入能量可降至约53.7 fJ。研究发现循环耐久度在结构不对称的单元中明显依赖于偏置极性。若对石墨烯电极施加正偏置，其耐久度可比反极性情况延长至少一个数量级。该工作代表了低功耗PCRAM的重大技术进展，并有益于未来的存内计算。
引用
@article{arxiv.2207.10968,
title = {Minimizing the programming power of phase change memory by using graphene nanoribbon edge-contact},
author = {Xiujun Wang and Sannian Song and Haomin Wang and Tianqi Guo and Yuan Xue and Ruobing Wang and HuiShan Wang and Lingxiu Chen and Chengxin Jiang and Chen Chen and Zhiyuan Shi and Tianru Wu and Wenxiong Song and Sifan Zhang and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Zhitang Song and Xiaoming Xie},
journal= {arXiv preprint arXiv:2207.10968},
year = {2022}
}
备注
14 pages, 4 figures