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利用石墨烯边缘电极的金属氧化物阻变存储器

介观与纳米尺度物理 2017-08-23 v3

摘要

新兴的海量数据计算范式需要对由迅速增长的传感器网络收集的海量数据进行实时分析。然而,今天的计算技术无法扩展以满足此类大数据应用所需的吞吐量和能源效率。下一代技术前沿将是单片集成芯片,其具有三维交错的存储器和逻辑单元,以实现前所未有的数据带宽并降低能耗。在这项工作中,我们利用石墨烯边缘的原子级薄特性,组装了一种垂直三维堆叠的阻变存储器。由于具有独特性质的极薄电极、低编程电压和低电流,我们报道了新兴非易失性存储器中最低的功耗和能耗之一。使用实验测量的器件属性对该架构进行的电路分析表明,与基于金属的器件相比,石墨烯器件具有更高的存储潜力。

关键词

引用

@article{arxiv.1502.02675,
  title  = {Metal Oxide Resistive Memory using Graphene Edge Electrode},
  author = {Seunghyun Lee and Joon Sohn and Zizhen Jiang and Hong-Yu Chen and H. -S. Philip Wong},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1502.02675},
  year   = {2017}
}

备注

41 pages, 15 figures