面向应用的密集铁电嵌入式非易失存储器设计探索
分布式、并行与集群计算
2021-06-23 v1
摘要
存储墙瓶颈是众多数据密集型应用中的关键挑战。基于多级FeFET的嵌入式非易失存储器是一种有望实现更密集、更高能效片上存储的方案。然而，可靠的多级单元存储需要精心优化以最小化设计开销成本。本工作中，我们研究FeFET器件特性、编程方案与存储阵列架构之间的相互作用，并探索不同设计选择以优化关键数据密集型负载的性能、能耗、面积与精度指标。通过我们的跨栈设计探索，我们发现可在不低于应用精度损失的情况下，以超过8MB/mm^2的密度与亚2ns读取访问延迟存储DNN权重与社交网络图。
引用
@article{arxiv.2106.11757,
title = {Application-driven Design Exploration for Dense Ferroelectric Embedded Non-volatile Memories},
author = {Mohammad Mehdi Sharifi and Lillian Pentecost and Ramin Rajaei and Arman Kazemi and Qiuwen Lou and Gu-Yeon Wei and David Brooks and Kai Ni and X. Sharon Hu and Michael Niemier and Marco Donato},
journal= {arXiv preprint arXiv:2106.11757},
year = {2021}
}
备注
Accepted at ISLPED 2021