基于磁电FET的SRAM设计实现常关原位计算
硬件体系结构
2023-12-11 v1
摘要
作为一种新兴的后CMOS场效应晶体管，磁电FET（MEFET）为逻辑和存储应用提供了引人注目的设计特性，例如高速开关、低功耗和非易失性。在本文中，首次提出了一种基于MEFET的非易失性SRAM设计，命名为ME-SRAM，用于边缘应用，它通过快速的备份-恢复过程显著节省空闲状态下的SRAM静态功耗。为了实现常关原位计算，ME-SRAM单元被集成到一种新颖的存内SRAM架构中，该架构利用硬件优化的位线计算方法，在一个时钟周期内执行存储在存储子阵列中的操作数之间的布尔逻辑运算。我们在二元卷积神经网络加速上的器件到架构评估结果表明，ME-SRAM具有稳健的性能，同时与最佳的存内SRAM设计相比，平均能耗降低了5.3倍。
引用
@article{arxiv.2312.05212,
title = {Enabling Normally-off In-Situ Computing with a Magneto-Electric FET-based SRAM Design},
author = {Deniz Najafi and Mehrdad Morsali and Ranyang Zhou and Arman Roohi and Andrew Marshall and Durga Misra and Shaahin Angizi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2312.05212},
year = {2023}
}
备注
7 pages, 10 Figures, 4 Tables