一种FET-LET混合6T SRAM的提出
应用物理
2020-12-08 v3 介观与纳米尺度物理
摘要
对于高性能缓存存储器，对高速、低功耗、低泄漏和低噪声的静态随机存取存储器（SRAM）有着极高的需求。SRAM的能效在高性能和超低功耗便携式电池供电电子系统中都至关重要。本文分析了传统6T SRAM单元/阵列（含6个FET）整体速度与总能耗的影响因素，尤其突出了访问晶体管的作用及改进需求与方向。提出了一种混合6T SRAM，其中两个访问FET被光效应晶体管（LET）替代，电字线被光波导（OWG）替代。分析了该混合SRAM相对于传统6T SRAM在提升开关速度及从而降低总能耗方面的潜力。对64 KB原型混合SRAM阵列的数值分析表明，当访问FET被LET替代时，读延迟和读能耗分别降低7倍和34倍，写延迟和写能耗分别降低4倍和6倍。还简要讨论了该混合结构及LET在外围与辅助电路中的应用潜在影响。
引用
@article{arxiv.2006.13285,
title = {Proposal of a FET-LET Hybrid 6T SRAM},
author = {Antardipan Pal and Yong Zhang and Dennis D. Yau},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.13285},
year = {2020}
}
备注
This is a revised version with an added section "Compatibility with MOSFET and Scalability"