基于 Alpha 粒子免疫门-环绕场效应晶体管（GAA-FET）的 SRAM 设计预测
新兴技术
2026-01-06 v2 计算物理
摘要
本文利用 3D 技术计算机辅助设计（TCAD）仿真，展示了利用基于门-环绕场效应晶体管（GAA-FET）技术设计的静态随机存取存储器（SRAM）可免疫单颗 Alpha 粒子辐射引起的错误。换言之，经过此设计后，即使粒子撞击发生在最坏情况下，也不会发生单事件置位（SEU）。我们首先利用 ab initio 计算在 PHITS 中显示，Alpha 粒子在 Si 和 SiGe 中的最大线性能量转移（LET，LETmax）是存在的。基于此，通过设计一种基于亚 7nm GAA-FET 的 BDI（底介质隔离）SRAM，我们展示了即使在最坏情形下该 SRAM 也不会翻转。
引用
@article{arxiv.2507.15860,
title = {Prediction of Alpha-Particle-Immune Gate-All-Around Field-Effect Transistors (GAA-FET) Based SRAM Design},
author = {Albert Lu and Reza Arghavani and Hiu Yung Wong},
journal= {arXiv preprint arXiv:2507.15860},
year = {2026}
}