具有 n 掺杂 AlGaAs/GaAs 写入/读取通道的磁阻随机存取存储器
介观与纳米尺度物理
2023-05-16 v1
摘要
我们表明，n 掺杂 AlGaAs/GaAs 量子阱（QW）中的可调栅极电压是设计高效、超快 MRAM（磁阻随机存取存储器）的关键。此类量子阱中的 Rashba 自旋轨道耦合可通过栅极电压适当调节，以产生强烈的自旋霍尔场，该场进而通过自旋轨道转矩机制与 MRAM 的铁磁层相互作用。强自旋霍尔场导致 MRAM 的切换时间无穷小。我们提出的 MRAM 因此是传统铁磁/自旋霍尔效应双层 MRAM 的更好替代方案，原因在于其切换时间可轻易改变，而后者无法实现。简言之，这项工作不仅指出了设计超快 MRAM 的可能性，还提出了一种制备可调切换时间 MRAM 的模型。
引用
@article{arxiv.2305.08565,
title = {Magnetoresistive RAM with n-doped AlGaAs/GaAs writing/reading channels},
author = {Sushmita Saha and Deepak Sain and Alestin Mawrie},
journal= {arXiv preprint arXiv:2305.08565},
year = {2023}
}
备注
5 pages, 5 figures