自旋霍尔力矩驱动磁翻转的门电压调制
材料科学
2012-09-06 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
在未来磁存储器和非易失性自旋逻辑器件中实现高效磁化控制的两种有前景的策略是自旋极化电流产生的自旋转移力矩和电压控制磁各向异性 (VCMA)。自旋转移力矩作为下一代磁存储器的写入机制正在广泛开发中，而 VCMA 由于欧姆损耗较小，提供了更优能效的潜力。在此，我们引入了一种结合这两种机制以实现新功能的三端磁隧道结 (MTJ) 器件：门电压调制的自旋力矩翻转。这种门控使得更节能的翻转成为可能，并改善了存储器和逻辑应用的架构，包括一种制造具有最大密度交叉点几何结构的磁存储器的简单方法，该方法不需要为每个 MTJ 配备控制晶体管。
引用
@article{arxiv.1209.0962,
title = {Gate voltage modulation of spin-Hall-torque-driven magnetic switching},
author = {Luqiao Liu and Chi-Feng Pai and D. C. Ralph and R. A. Buhrman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1209.0962},
year = {2012}
}