基于负电容的电压调控磁各向异性效应放大
介观与纳米尺度物理
2016-11-01 v1
摘要
自旋转移矩（STT）效应驱动的磁隧道结（MTJ）开关所需的高电流密度导致功耗大和严重的可靠性问题，从而阻碍STT磁随机存取存储器（STT-MRAM）进入大众市场。利用电压调控磁各向异性（VCMA）效应，MTJ可通过电压效应实现开关，被认为可以实现超低功耗（飞焦）。然而，实验中测得的VCMA系数对于100 nm以下的MTJ尺寸来说太小了。本工作中，我们提出了一种新颖的VCMA效应放大方法，借鉴了负电容的思想。通过物理仿真和深入分析证明了该方案的可行性。
引用
@article{arxiv.1610.09831,
title = {Amplicification of Voltage Controlled Magnetic Anisotropy Effect with Negative Capacitance},
author = {Lang Zeng and Tianqi Gao and Deming Zhang and Shouzhong Peng and Fanghui Gong and Xiaowan Qin and Mingzhi Long and Youguang Zhang and Weisheng Zhao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.09831},
year = {2016}
}