低压局域应变增强磁隧道结的翻转
材料科学
2023-12-11 v2
摘要
磁隧道结（MTJs）中磁翻转行为的应变调控，可为加速 MTJ 在存储、逻辑与神经形态计算中的应用提供所需能效，并为这些应用调谐 MTJ 特性提供额外途径。最先进的 CoFeB-MgO 基 MTJ 仍需过高电压才能以应变改变其磁翻转行为。本研究中，我们展示通过跨局域栅极施加电压进行电场控制，实现纳米级 MTJ 的应变增强场翻转。结果表明，低至 200 mV 的创纪录电压可用于通过增强磁各向异性来控制 MTJ 的翻转场，且隧穿磁阻随电压通过应变隧道势垒晶体结构而线性增强。这些发现凸显了电场操控与应变工程作为裁剪纳米级 MTJ 特性与功能的有效策略的潜力。
引用
@article{arxiv.2311.08984,
title = {Low voltage local strain enhanced switching of magnetic tunnel junctions},
author = {Suyogya Karki and Jaesuk Kwon and Joe Davies and Raisa Fabiha and Vivian Rogers and Thomas Leonard and Supriyo Bandyopadhyay and Jean Anne C. Incorvia},
journal= {arXiv preprint arXiv:2311.08984},
year = {2023}
}