应变增强 MgO 磁性隧道结中的隧穿磁电阻
材料科学
2014-10-03 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
虽然晶格失配引起的应变、机械应变以及薄膜的本征应变有时会产生不利影响，导致机械变形和失效，但应变也可被有效利用于数据存储、晶体管、太阳能电池和应变计等应用。在此，我们证明通过引入可控机械应变，可以显著影响磁性隧道结 (MTJs) 中的量子输运，使实验测得的隧穿磁电阻 (TMR) 比率提升约 2 倍。我们进一步将这种应变增强的 TMR 与穿过 MgO 势垒的相干自旋隧穿联系起来。此外，利用非平衡格林函数 (NEGF) 量子输运计算对应变增强的 TMR 进行了分析。我们的结果有助于在原子层面阐明 TMR 机制，并为增强和调控纳米材料及器件中的量子特性提供了一种新途径。
引用
@article{arxiv.1410.0454,
title = {Strain-enhanced tunneling magnetoresistance in MgO magnetic tunnel junctions},
author = {Li Ming Loong and Xuepeng Qiu and Zhi Peng Neo and Praveen Deorani and Yang Wu and Charanjit S. Bhatia and Mark Saeys and Hyunsoo Yang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1410.0454},
year = {2014}
}