非易失模拟控制与涡旋纳米振子频率的重构

磁隧道结合是纳米尺度器件，近期因其在频率复用型自旋电子神经网络背景下的有趣动力学特性而受到关注，这些特性在制造过程中定义且取决于材料参数和几何形状。本文提出一种方法，通过引入额外的铁磁/反铁磁 (FM/AFM) 存储层 (SL) 垂直集成于标准涡旋 MTJ 堆栈以扩展标准磁隧道结合的功能。该存储层产生的磁静力场作用于自由层，可用于改变其静态和动态特性。通过热辅助开关机制施加电压脉冲将 AFM 层加热至亚尼尔温度，以实现磁场的大小和方向调谐。实验表明，使用基于 600 纳米直径纳米柱且自由层中存在涡旋的 MTJ，通过重构 SL 可实现核心预cession 频率在 15 MHz 范围内的连续调节。该可重构模拟存储层对 MTJ 自由层的静态和动态特性都有局部影响，展示了将额外功能垂直集成到单个 MTJ 纳米柱中的 3D 集成潜力。