基于单个应变电子磁隧穿结的微波振荡器
介观与纳米尺度物理
2019-07-18 v2
摘要
人们日益关注探索纳米磁器件作为数字开关电路与系统中电子器件（如晶体管）的潜在替代者。一类特殊的纳米磁器件通过电生成的机械应变进行开关，从而实现磁性的电学控制。应变电子磁隧穿结（s-MTJ）即属此类。其软层由两相多铁材料构成，包含弹性耦合于压电层的磁致伸缩层。在此，我们展示单个带无源电阻的应变电子磁隧穿结可用作微波振荡器，而传统实现需使用微波运算放大器、电容和电阻。这减小了器件 footprint 与成本，同时提高了器件可靠性。这是磁器件的模拟应用，其中利用磁相互作用（s-MTJ 软层中形状各向异性、应变各向异性、偶极耦合场与自旋转移矩之间的相互作用）来实现小 footprint 的振荡器。
引用
@article{arxiv.1902.03307,
title = {A Microwave Oscillator Based on a Single Straintronic Magneto-tunneling Junction},
author = {Md Ahsanul Abeed and Justine L. Drobitch and Supriyo Bandyopadhyay},
journal= {arXiv preprint arXiv:1902.03307},
year = {2019}
}