基于Tb/Co多层膜的纳米级磁性隧道结中的光开关
应用物理
2023-08-09 v1 材料科学
摘要
磁性隧道结（MTJs）是磁存储器件的基本单元。对于高速和低功耗的数据存储与处理应用，通过超短激光脉冲实现快速反转极为重要。我们通过结合光写入和电读出方法，演示了基于Tb/Co多层膜的纳米级MTJs的光开关。90 fs长的激光脉冲切换了存储层（SL）的磁化。通过隧道势垒在SL和参考层（RL）之间探测磁电阻的变化。通过将单元直径从300 nm改变到20 nm，演示了单次开关。各向异性、静磁耦合和开关概率表现出单元尺寸依赖性。通过适当组合激光通量和磁场，实现了高阻态和低阻态之间的连续换向。利用磁光克尔效应技术探测了连续薄膜中的开关动力学。我们的实验结果为超快自旋电子器件日益增长的兴趣提供了强有力的支持。
引用
@article{arxiv.2212.10361,
title = {Optical Switching in Tb/Co-Multilayer Based Nanoscale Magnetic Tunnel Junctions},
author = {Sucheta Mondal and Debanjan Polley and Akshay Pattabi and Jyotirmoy Chatterjee and David Salomoni and Luis Aviles-Felix and Aurélien Olivier and Miguel Rubio-Roy and Bernard Diény and Liliana Daniela Buda Prejbeanu and Ricardo Sousa and Ioan Lucian Prejbeanu and Jeffrey Bokor},
journal= {arXiv preprint arXiv:2212.10361},
year = {2023}
}
备注
total pages 22, Total figure 8