CoFeB/MgO 磁性隧道结的单脉冲全光开关
介观与纳米尺度物理
2025-10-30 v1 材料科学
光学
摘要
我们展示了在不含稀土元素且被广泛应用于自旋流动力力磁随机存取存储器 (STT MRAM) 的 CoFeB/MgO 磁性隧道结中实现单脉冲全光开关 (AOS)。通过调节封装层厚度，我们证明了精确的热控制可实现从平行 (P) 态到反平行 (AP) 态的磁化翻转的确定性。此外，我们通过隧道磁阻 (TMR) 效应检测了微尺寸 MTJ 器件的磁化翻转。我们的发现表明， ultraffast 自旋输运或偶极相互作用或两者的组合可能在开关过程中发挥关键作用。这一工作代表了将 AOS 与 MTJ 技术集成的重要一步。
引用
@article{arxiv.2510.25102,
title = {Single-Shot All-Optical Switching in CoFeB/MgO Magnetic Tunnel Junctions},
author = {Junta Igarashi and Sébastien Geiskopf and Takanobu Shinoda and Butsurin Jinnai and Yann Le Guen and Julius Hohlfeld and Shunsuke Fukami and Hideo Ohno and Jon Gorchon and Stéphane Mangin and Michel Hehn and Grégory Malinowski},
journal= {arXiv preprint arXiv:2510.25102},
year = {2025}
}
备注
7 pages, 7 figures