CoFeB/MgO 纳米点中的热成核磁化反转
材料科学
2019-12-23 v1
摘要
功耗是便携式电子设备新型高性能随机存取存储器发展的主要限制。基于 CoFeB/MgO 磁性隧道结（MTJs）的磁性 RAM（MRAM）因其非易失性且能实现高性能，成为降低功耗的有希望的候选者。MTJs 的动态特性和切换机制对于理解器件操作以及实现直径低于 30 nm 的器件微缩至关重要。在此我们表明，磁化反转机制是非相干的，且在器件工作温度下切换是由热成核的。此外，我们发现在亚纳秒时间尺度上会出现内禀热切换场分布，即使在没有尺寸和各向异性分布或材料缺陷的情况下也是如此。这些特征代表了 MTJs 动态特性的特征标志，并给出了小型磁性纳米器件反转可靠性的内禀极限。
引用
@article{arxiv.1704.00106,
title = {Thermally nucleated magnetic reversal in CoFeB/MgO nanodots},
author = {Andrea Meo and Phanwadee Chureemart and Shuxia Wang and Roman Chepulskyy and Dmytro Apalkov and Roy W. Chantrell and Richard F. L. Evans},
journal= {arXiv preprint arXiv:1704.00106},
year = {2019}
}
备注
17 pages, 5 figures, and 7 pages of supplementary information and figures