利用电压控制磁各向异性解决交叉开关阵列中的潜行路径问题
新兴技术
2023-04-12 v4
摘要
在作为人工智能硬件“存内”计算引擎的交叉开关阵列结构中，写潜行路径问题会导致器件的非预期翻转，从而降低网络精度。尽管已提出定制的交叉开关编程方案，但利用交叉点器件非线性开关特性的器件级创新仍在探索中，以提高写过程的能量效率。本工作提出了一种基于磁隧道结（MTJ）并利用电压控制磁各向异性（VCMA）效应的自旋电子器件设计，作为写潜行路径问题的解决方案。此外，还提供了关于适当工作电压条件的见解，以在开关过程中保持磁化轨迹的鲁棒性，这对正确操控开关概率至关重要。
引用
@article{arxiv.2209.13677,
title = {Leveraging Voltage-Controlled Magnetic Anisotropy to Solve Sneak Path Issues in Crossbar Arrays},
author = {Kezhou Yang and Abhronil Sengupta},
journal= {arXiv preprint arXiv:2209.13677},
year = {2023}
}