用于磁隧道结和磁存储应用的交叉各向异性薄膜
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
制备了一种基于磁隧道结（MTJ）的磁阻随机存取存储器（MRAM）原型，其在隧穿势垒层两侧的磁性层具有交叉各向异性。结果表明，与传统的各向异性对齐情况相比，引入交叉各向异性使得翻转场更小、翻转时间更短。所制备器件的磁阻性质与微磁模型吻合良好。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0209578,
title = {Crossed-anisotropy films for magnetic tunnel junctions and magnetic memory applications},
author = {A. N. Grigorenko and D. J. Mapps},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0209578},
year = {2007}
}
备注
15 pages, 5 Figures. Submitted to JAP