基于磁拓扑绝缘体器件中电压控制磁化翻转操作的数值分析
介观与纳米尺度物理
2023-09-07 v1 材料科学
应用物理
摘要
我们通过微磁模拟从理论上研究电子电路延迟、噪声和温度对基于磁拓扑绝缘体（MTI）器件的电压控制磁化翻转操作中的写入错误率（WER）的影响。该器件通过源自二维狄拉克电子结构的自旋轨道转矩（SOT）和电压控制磁各向异性（VCMA）实现磁化翻转。我们揭示该器件操作对电路延迟和信噪比极为鲁棒。我们证明由于 VCMA 的陡峭变化，在室温附近实现了约 或以下的 WER。此外，我们表明更大的 SOT 改善了热稳定性因子。本研究为开发具有超低功耗的电压驱动自旋电子器件提供了新视角。
引用
@article{arxiv.2309.03043,
title = {Numerical analysis of voltage-controlled magnetization switching operation in magnetic-topological-insulator-based devices},
author = {Takashi Komine and Takahiro Chiba},
journal= {arXiv preprint arXiv:2309.03043},
year = {2023}
}
备注
6 pages, 5 figures