切换层结构对RRAM功耗影响
应用物理
2025-10-22 v1 材料科学
摘要
本工作表明，多孔螺旋状 WOx 结构可实现平面 ITO/WOx/ITO 阻性随机存取存储器的独特低功耗 regime。虽然薄膜和螺旋结构在 5 mA 限制电流下行为相似，但仅螺旋结构可在 500 μA 时维持可重复的运行。其中，RESET 电压降低约60%，切换电流降低68-75%，SET/RESET 功耗分别降低约89%和83%。在 500 μA 下，螺旋结构的存储窗口扩大400-600% due to selective suppression of high-resistive-state leakage，实现更低功耗和改善的读取余量，在此 regime 中无法被薄膜器件实现。这些结果凸显了几何驱动的场增强与约束作为低功耗高裕度阻性存储器的实用设计原则，并指向透明、柔性和高比表面积材料系统的潜在机遇。
引用
@article{arxiv.2510.17831,
title = {Impact of Switching Layer Architecture on Power Consumption in RRAM},
author = {John F. Hardy and Jack A. Garrard and Guilherme S. Y. Giardini and Carlo R. daCunha},
journal= {arXiv preprint arXiv:2510.17831},
year = {2025}
}