双稳态切换过程中金属-绝缘体-金属结构中的电流分布
材料科学
2009-11-07 v1
摘要
结合扫描电子显微镜（SEM）和电子束诱导电流（EBIC）成像与输运测量，结果表明流经双端氧化物基类电容器结构的电流优先局域在缺陷处。当薄膜器件在两个不同的电阻态之间切换时，表现为亮斑的电流路径的分布和强度会发生变化。这意味着切换和记忆效应主要由沿这些路径的导电特性决定。基于绝缘体内部电荷载流子的存储与释放的模型，似乎足以解释观察到的记忆效应。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0104452,
title = {Electrical current distribution across a metal-insulator-metal structure during bistable switching},
author = {C. Rossel and G. I. Meijer and D. Bremaud and D. Widmer},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0104452},
year = {2009}
}
备注
8 pages, 7 figures, submitted to J. Appl. Phys