TiO_x 纳米颗粒层中的电阻开关现象及其在存储器中的应用
材料科学
2014-10-09 v1
摘要
报道了通过两种不同方法制备的 Co/TiO_x/Co 电阻存储器件的电学特性。除了通过传统原子层沉积 (ALD) 制备的结晶 TiO_2 层外，还研究了一种替代方法，即通过溶胶 - 凝胶法 (sol-gel) 制备 TiO_x 纳米颗粒层。不同的器件表现出不同的磁滞回线，其中溶胶 - 凝胶器件具有独特的交叉点。我们引入了一个简单的定性模型来描述不同的电流 - 电压行为，该模型假设 ALD 器件仅有一个活性金属 - 氧化物界面，而溶胶 - 凝胶器件有两个活性金属 - 氧化物界面。此外，我们表明可以通过适当的界面工程轻松调节电阻开关行为，并且尽管具有相似的活性材料，不同的制备方法也会导致不同的电阻开关特性。
引用
@article{arxiv.1410.2019,
title = {Resistive switching phenomena in TiOx nanoparticle layers for memory applications},
author = {Emanuelle Goren and Mariana Ungureanu and Raul Zazpe and Marcelo Rozenberg and Luis E. Hueso and Pablo Stoliar and Yoed Tsur and Fèlix Casanova},
journal= {arXiv preprint arXiv:1410.2019},
year = {2014}
}