非晶氧化钛薄膜中的双极电阻开关
材料科学
2015-05-14 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
利用等温和变温电学测量，我们研究了通过等离子体增强原子层沉积方法沉积在两个铝电极之间的非晶氧化钛薄膜的电阻开关机制。我们在高温区域（> 140 K）发现了双极电阻开关行为，并在欧姆电流区域发现了两个浅陷阱的激活能：0.055 eV和0.126 eV。我们还提出，非晶TiO2薄膜的双极电阻开关由氧空位离子运动产生的导电模式转变所主导，即从体限制的SCLC模型（关态）转变为界面限制的肖特基发射（开态）。
引用
@article{arxiv.0908.3525,
title = {Bipolar resistive switching in amorphous titanium oxide thin films},
author = {Hu Young Jeong and Jeong Yong Lee and Min-Ki Ryu and Sung-Yool Choi},
journal= {arXiv preprint arXiv:0908.3525},
year = {2015}
}
备注
9 pages, 4 figures