BiFeO3薄膜中整流和阻变行为的控制
材料科学
2011-08-18 v1
摘要
采用脉冲激光沉积法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上生长了BiFeO3薄膜，并使用Au作为顶电极。通过仔细调控生长过程中的氧气压力，Au/BiFeO3/Pt堆栈的阻变性能得到了显著改善，实现了约4500的大开关比。沉积压力改变了氧空位浓度和Au/BiFeO3结的整流行为，从而影响了整个堆栈的阻变行为。开关过程在整个电极上均匀发生，并表现出良好的长期保持特性。
引用
@article{arxiv.1108.3454,
title = {Control of rectifying and resistive switching behavior in BiFeO3 thin films},
author = {Yao Shuai and Shengqiang Zhou and Chuangui Wu and Wanli Zhang and Danilo Bürger and Stefan Slesazeck and Thomas Mikolajick and Manfred Helm and Heidemarie Schmidt},
journal= {arXiv preprint arXiv:1108.3454},
year = {2011}
}
备注
13 pages, 3 fitures