溶胶-凝胶法制备 BiFeO3 薄膜中的非易失性双极阻变特性
材料科学
2018-06-13 v1
摘要
采用简单溶胶-凝胶沉积技术在 FTO 镀膜玻璃基底上沉积 BiFeO3 薄膜，厚度限制约为 70 nm，并制备了 Ag/BiFeO3/FTO RRAM 器件。该器件表现出低压双极开关特性，最大 Ion/Ioff 约 450，set 与 reset 电压分别约为 1.1 V 和 -1.5 V。器件在开关循环下稳定，保持时间约 104 s 而无明显退化。set 与 reset 电压的变化分别为 0.4 V 和 0.6 V。我们发现欧姆传导与陷阱控制空间电荷限制传导分别对应于低阻态与高阻态。阻变机制归因于 set 与 reset 状态下 Ag 离子氧化还原过程中金属细丝的形成与断裂。
引用
@article{arxiv.1801.08502,
title = {Non-volatile bipolar resistive switching in sol-gel derived BiFeO3 thin films},
author = {Chandni Kumari and Ishan Varun and Shree Prakash Tiwari and Ambesh Dixit},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.08502},
year = {2018}
}
备注
15 Pages, 4 Figures, Submitted for publication in Journal of American Ceramic Society