Al/CoFe2O4/FTO 器件中具有自顺应效应的无电形成可控双极阻变开关
材料科学
2018-03-14 v1
摘要
在使用 Al(铝)/CoFe2O4/FTO(氟掺杂氧化锡) 器件纳米结构的 CoFe2O4 薄膜中观察到了可控双极阻变开关(BRS)。所制备的器件显示出无电形成的均匀 BRS，具有两个清晰区分且稳定的电阻态，且无需施加任何顺应电流(CC)，其高阻态(HRS)与低阻态(LRS)的电阻比 > 102。两种电阻态下的小开关电压(< 1 伏)和较低电流证实了低功耗器件的制备。在低阻态中，传导机制为欧姆型，而高阻态(HRS/OFF 态)由空间电荷限制传导机制主导，这表明在顶部 Al/CFO 界面附近存在具有不完善微观结构的界面层。该器件表现出非易失性行为以及良好的耐久特性、可接受的电阻比、由于稳定且较少随机的细丝形成/断裂而产生的均匀阻变，以及通过选择不同停止电压对阻变特性的控制，这使得该器件适用于未来非易失性阻变随机存取存储器(ReRAM)的应用。
引用
@article{arxiv.1802.03643,
title = {Electroforming Free Controlled Bipolar Resistive Switching in Al/CoFe2O4/FTO device with Self-Compliance Effect},
author = {Sandeep Munjal and Neeraj Khare},
journal= {arXiv preprint arXiv:1802.03643},
year = {2018}
}
备注
13 pages, 4 figures