利用电阻开关效应实现电场调控交换偏置
材料科学
2017-10-06 v1
摘要
我们在 Si/SiO2/Pt/Co/NiO/Pt 器件中展示了电场调控的交换偏置（EB）效应，并伴随单极性电阻开关行为。通过施加特定电压，该器件在高阻态下表现出明显的交换偏置，而在低阻态下交换偏置可忽略不计。在 NiO 层中但靠近 Co-NiO 界面处形成的导电细丝及其断裂，被认为在决定电阻开关与交换偏置的耦合现象中起主导作用。这项工作为设计多功能、非易失性磁电随机存取存储器件开辟了一条新途径。
引用
@article{arxiv.1710.01865,
title = {Electric field Control of Exchange Bias by Resistive Switching},
author = {L. J. Wei and Z. Z. Hu and Y. J. Wang and G. X. Du and Y. Yuan and J. Wang and H. Q. Tu and B. You and S. M. Zhou and Y. Hu and J. Du},
journal= {arXiv preprint arXiv:1710.01865},
year = {2017}
}
备注
20 pages 5 figures