用于阻变存储器的溶液法制备硫化银纳米晶薄膜
应用物理
2020-04-27 v1 材料科学
化学物理
摘要
阻变存储器利用电化学和离子传输过程，通过诱导高阻(OFF)或低阻(ON)态来实现材料电导率的电控。作为高温和基于真空的银(Ag)物理硫化方法的替代，本文提出以胶体AgS纳米晶构建的薄膜作为阻变介质，该工艺与溶液法兼容。我们评估了电极尺寸（从宏观到微观尺度）、组成（Ag、Ti和Pt）和几何结构对器件性能的影响以及所涉及的 electrochemical 机制。通过电子束光刻我们实现了优化的Ag/Ti蝴蝶结概念验证结构，其在低功耗和可靠的比方面满足ReRAM器件的通用要求。该结构展示了ON与OFF态间可复现的切换，数据耐久至少20次循环；且在低功耗（0.1V读出）下比高达10，优于文献中先前以银硫族化物纳米颗粒制备阻变层的器件结果。
引用
@article{arxiv.2004.11875,
title = {Solution-processed silver sulphide nanocrystal film for resistive switching memories},
author = {Beatriz Martín-García and Davide Spirito and Roman Krahne and Iwan Moreels},
journal= {arXiv preprint arXiv:2004.11875},
year = {2020}
}