离子嵌入纳米薄膜中由多相极化引起的界面阻变
化学物理
2022-08-02 v2
摘要
非易失性阻变（RS）存储器有望通过存内计算彻底改变硬件架构。近年来，离子嵌入材料因其离子调制的电子电导率而作为潜在 RS 材料受到越来越多的关注。在本快报中，我们提出在离子阻挡电极之间利用离子嵌入薄膜的多相极化（MP）实现阻变，其中由外加电压触发的界面相分离切换电子转移电阻。我们建立了电化学相场模型以模拟耦合的离子-电子传输和离子调制的电子转移速率，并用其分析 MP 切换电流与时间、电阻比以及电流-电压响应。该模型能够复现钛酸锂（LTO）忆阻器的复杂循环伏安图，这是基于体介电击穿的现有模型无法解释的。该理论预测了多相离子嵌入材料可实现的切换速度，并可用于指导高性能基于 MP 的 RS 存储器的设计。
引用
@article{arxiv.2205.02980,
title = {Interfacial resistive switching by multiphase polarization in ion-intercalation nanofilms},
author = {Huanhuan Tian and Martin Z. Bazant},
journal= {arXiv preprint arXiv:2205.02980},
year = {2022}
}